一、機器人設計入門步驟？

1、機器人制作最后從嵌入式開始學起，單片機，數字電路

二、機器人系統集成設計步驟？

1.成立機器人設計系統指揮部。

2.整個系統分成若干子系統設計。

3.子系統設計完成歸集總系統。

三、問卷設計的步驟？

先確定問卷調查的目的，對象，年齡層次

再針對調查的目的設計問題，盡量設計選擇題

四、算法設計的步驟？

1. 弄清楚題目的意思，列出題目的輸入、輸出、約束條件

其中又一道題目是這樣的：“有一個mxn的矩陣，每一行從左到右是升序的，每一列從上到下是升序的。請實現一個函數，在矩陣中查找元素elem，找到則返回elem的位置。”題設只說了行和列是升序的，我在草稿紙上畫了一個3x4的矩陣，里面的元素是1~12，于是我就想當然的認為矩陣的左上角是最小的元素，右下角是最大的元素。于是整個題目的思考方向就錯了。

2. 思考怎樣讓算法的時間復雜度盡可能的小

繼續以上面的題目為例子。可以有如下幾種算法：

a. 遍歷整個矩陣進行查找，那么復雜度為O(m*n)；

b. 因為每一行是有序的，所以可以對每一行進行二分查找，復雜度為O(m*logn)。但是這樣只用到了行有序的性質。

c. 網上查了一下，最優的算法是從矩陣的左下角開始，比較左下角的元素（假設為X）與elem的大小，如果elem比X大，那么X所在的那一列元素就都被排除了，因為X是該列中最大的了，比X還大，那么肯定比X上面的都大；如果elem比X小，那么X所在的那一行就可以排除了，因為X是這一行里最小的了，比X還小那么肯定比X右邊的都小。每迭代一次，矩陣的尺寸就縮小一行或一列。復雜度為O(max(m,n))。

可以先從復雜度較高的實現方法入手，然后再考慮如何利用題目的特定條件來降低復雜度。

3. 編寫偽代碼或代碼

五、活動設計的步驟？

1.首先，要策劃一個活動必須確定-一個主題，這個主題最好用一個詞可概括。

2.確定了主題之后要做的就是尋找創意。在來賓的眼里大多數活動都大同小異，無非就是紅地毯、旗幟、空飄球、氣拱門、背景板、鑼鼓、歌舞之類。要讓你的活動在他們腦海中留下印象，你必須有所創意。

3.有了主題，有了廣告語，再有個創意，我們開始籌劃整個活動的過程。做方案時要首先考慮資金，因為一場的預算是有限的，不可能像奧運會開幕式一樣無限制的超支。我們必須讓每一份資金發揮最大的效率。資金的分配實際是一個非常大的問題。

4.建立活動的支持系統，就是整個活動流程的控制。一個好的策劃，必須要有一個好的執行力，才能夠把策劃完善地呈現出來。

5.現場活動中，人員分組是一個非常關鍵的問題。很多時候，現場的活動是要由現場各方的努力才能做到銜接得行云流水。通常可以分成幾個組，舞臺組，后勤組，接待組，保安組等等。

6.賓客散去之后，你的任務還沒有結束，當你的團隊在收拾東西的時候你就要把這個活動從頭到尾在腦海中過一遍，這個活動達到了哪些預期的效果，看看那些流程沒有執行到位，出了哪些問題，如何改正。是不是千頭萬緒，如果用一個標準的表格去思考，你會一場比一場辦得好。

六、作品設計的步驟？

第一階段，準備素材，確定主題和基調階段。由客戶所從事的行業入手，了解客戶的設計，醫院通過互聯網素材或者文件拷貝等多種途徑大量搜索與設計作品或者設計主題，相關素材。

確定主題，任何畫面都需要有一個明確的主題器設計者所要傳達的主觀意愿。

基調確定，對于設計者說，任何作品必須確定基本的色調及結構造型。

七、爐窯設計的步驟？

1.燃料燃燒計算2.爐膛熱交換計算3.金屬加熱計算4.爐膛耐火材料的選用及尺寸確定5.爐子熱平衡及燃料消耗計算6.燃燒器(燒嘴)的選用7.空、煤氣換熱器設計計算8.空氣管路阻力計算及鼓風機選擇9.煙氣管路阻力計算及煙囪設計計算(或引風機選擇)

八、車庫設計步驟？

首先應該大致確認地下室范圍線，保證與紅線之間的間距。現在地下室的面積多是由車位數反算出來的，一個車位按38~45平米計算，根據城市規劃條例對車位數的要求，算出一共需要多少面積的地下室（現在地上車位已經不計入總車位數了）。

根據計算結果大致確定地下室輪廓和層數，實在無法滿足的一般采用機械停車位，不過對比例有一定的要求。

根據車庫的規范和你地下室的停車數，確定你需要幾個車輛出入口，一般盡量放在沿街道路上，方便出入，也避免對內部的干擾。

然后就是平面設計了，確定出入口以后設計行車路線，車位布置，設備專業需要的各類房間，消防水箱，生活水箱，機房，送風排風井，此類房間一般放在塔樓范圍以下，因為塔樓的結構相對比較多，基本無法用來停車。

對車位數影響比較大的是柱網的設計，以前一般采用8.4米，8.1米，8.7米之類的柱網，現在柱網的尺寸比較多了，根據萬科的一篇文章，5米的柱網用來停車更經濟一些。（沒有具體算過）當然還有一個比較大的問題就是是否考慮人防地下室，以及人防地下室的面積。人防區域的各種特殊要求和口部數量對車位數量有較大的影響。

九、solidworks設計步驟？

SolidWorks設計步驟并沒有嚴格要求，但是有一些技巧。總結如下:

1，先定外形，畫出零件的長寬高。

2，找中心和中心線，優先考慮中心為基準，再考慮中心線對稱布局。

3，拉伸或切除等特征的草圖先畫輔助線。

4，尺寸能取整數的不用小數。

5，考慮加工實際情況，內輪廓轉角處圓角或工藝孔清角。

6，多零件配合的考慮配合公差或者裝配工藝和干涉問題。

十、nmos設計步驟？

1. 襯底p-Si ρ=30~50Ω?cm 2. 初始氧化 SiO2 層厚度250 A 氧化后淀積Si3N4 Si3N4厚度1400 A 3. 光刻Ⅰ 場區光刻，刻掉場區的Si3N4 不去膠,阻擋離子注入 4. 場區注硼 250 A的SiO2防止隧道效應 注硼是為了提高場區的表面濃度，以提高場開啟 5. 場區氧化，8500 A 氧化層是熱生長形成的，此時硼將繼續推進，Si3N4阻擋氧化。 由于Si:SiO2=0.44:1（體積比） 這種做法可以降低臺階高度，稱為準等平面工藝 6. 去掉有源區的Si3N4和SiO2 Si3N4：用磷酸腐蝕 SiO2：用標準的光刻腐蝕液 7. 預柵氧 SiO2 層厚度250 A 為離子注入作準備 8. 調整閾電壓注入（注硼） 目的：改變有源區表面的摻雜濃度，獲得要求的閾電壓 9. 去掉預柵氧 10. 柵氧化 SiO2 層厚度250 A 這一步需要單獨做，必須生長高質量的氧化層 11. 淀積多晶硅， Poly-Si，3800 A 擴磷，使多晶硅成為n+型（n+-Poly-Si） 12. 光刻Ⅱ 刻多晶硅，不去膠 13. 離子注入 源漏區注砷（As）,熱退火 選擇As作源漏區，是因為同一溫度下，As的擴散系數比磷小，橫向擴散距離小 到這一步，MOSFET已經形成，只是未引出電極 14. 去膠，低溫淀積SiO2 15. 光刻Ⅲ刻引線孔 16. 蒸鋁 17.光刻Ⅳ刻電極 概括的說就是先場氧，后柵氧，再淀多晶si，最后有源區注入